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大佬讲解,5分钟看懂QLC

如果你经常关注科技新闻,相信最近几天已经被《三星电子开始批量生产业界首款QLC消费类SSD》的新闻刷屏。作为新一代的闪存技术,业界首款QLC消费类SSD必将对现今的存储市场带来深刻影响,将消费类SSD的容量空间带入更高水平。

作为普通用户,在决定购买之前,对QLC这项新技术进行简单了解是很有必要的,今天小星转载一篇针对硬件小白的形象生动的讲解,出自国内某大佬,让大家五分钟搞懂QLC的前世今生,以下为正文:

三星电子开始批量生产业界首款QLC消费类SSD所使用的QLC闪存是第四代V-NAND,64层3D堆叠,什么是3D NAND?什么是3D堆叠?什么是QLC?

总结下来,其实就是三句话:

1.3D NAND 技术就是盖楼。

2.3D 堆叠层数就是高楼的层数。

3.XLC的演进,就是从一居室变成了四居室。

下面详细解释一下,不良副作用未知,请慎读:

  1. 以上的总结都是基于半导体产业的前半段,即芯片生产阶段,至于后端封装,下回分解。

  2. 芯片生产阶段,就是将晶圆柱→切成晶圆→在晶圆上蚀刻电路的过程。

  3. 晶圆柱切成晶圆没啥可说,类似大厨切萝卜,唯手熟尔。

  4. 在晶圆上蚀刻电路就比较复杂了,简单来说就是盖楼。

  • 盖楼分2步:

    a.盖楼层,隔出每一户;

    ---其实就是搭承重墙。

    b.每一户里面隔出房间;

    ---其实就是搭隔断墙。

下面再详细解释一下第4步的a/b部分:

首先,资本的本质就是追逐金钱的气味(简称铜臭),所以:房地产开发商想要在相同的面积的土地上盖出更多的房子,装进去更多的人。

半导体厂商则是想要在同一个chip(或者叫die,晶圆上切出来的小片)上装进去更多的数据,so:

第一步:盖楼层,越高越好;堆层数,越多越好。

这些年,我们眼见他起高楼,宴宾客;起更高的楼,宴更多的宾客。

这些年,我们从V1起(好像是8层)步,蹭蹭蹭,到了V4(64层),马上就威武(V5,90+层)了。

所以,3D 堆叠层数的提高,就是在一个chip或者Die里面蚀刻更多层的电路。

第二步:改户型,XLC。

构成楼层的,是一户户的房子;

构成3D NAND每一层电路的,就是一个个的cell;

*cell本身就有小牢房的意思,细思极恐,我们是不是就像囚禁在cell中的电子,偌大的北京就是一块芯片啊。

想当年,只有一居室,夫妻俩为爱鼓掌都要小心翼翼,四世同堂不是天伦之乐,是房奴的催命索。

想当年,一个cell只能储存1bit的数据的SLC时代,买个SSD得卖掉两肾,存储界的大苹果。

我们要革命,我们要四世同堂,我们要大苹果与肾兼得。

于是,房地产上们垒上了隔断墙,一居室变成了四居室;

于是,半导体厂商们将技术从SLC一路升级到QLC,1个cell现在能存储4bit数据了。

所以,XLC技术的进步,就是在一个cell里面储存更多bit的数据。

那么现在有一个很重要的问题:从3bit的TLC到4bit的QLC,容量到底是增加了33%还是一倍?

·用最简单的算法,(4-3)/3=33%。

·用装专业的算法,1bit就是1位二进制数,可以表示0或者1两个数,3bit就是2的三次方8个数,4bit就是16个数。(16-8)/8=1倍。

相信数学好的人一看就懂,答案是:33%!!!

最简单的解释:SSD的容量,单位是B(GB或者TB前面的T和G是表征数量级,不是单位),1B=8bit,本身就是以bit为单位的。

所以,讨论容量的增长是以bit为单位计算,(QLC-TLC)/TLC=(4bit-3bit)/3bit=33% 。

横比的解释:3居室,3间屋,假设每间住一个人,这个人可男可女,一共是8种可能。4居室则是16种可能。

但是,再多可能的组合,3居室也只是住3个人,4居室住4个人,容量只是增加了1人而已。


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